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  • 磁性材料可以研發(fā)高效存儲器
    發(fā)布時間:2013-03-18 來源:本站 點擊數(shù):254
        通過利用電壓而不是流動的電流,加州大學(xué)洛杉磯分校(UCLA)亨利?薩穆埃利工程和應(yīng)用科學(xué)學(xué)院的研究人員對一類名叫磁阻隨機存取存儲器(M RAM)的超快速、高容量計算機存儲器進(jìn)行了重大改進(jìn)。
      UCLA的這個小組把經(jīng)過他們改進(jìn)的存儲器稱為磁電隨機存取存儲器(M eRAM)。它極有可能被用來制造未來的存儲芯片,這樣的芯片既可以用在幾乎所有的電子應(yīng)用,包括智能手機、平板電腦、計算機及微處理器中,也可以用于數(shù)據(jù)儲存,例如計算機和大型數(shù)據(jù)中心使用的固態(tài)硬盤中。
      相對于現(xiàn)有技術(shù),M eRAM存儲器的關(guān)鍵優(yōu)勢是它把超低能量與極高存儲密度、高速讀寫時間以及非易失性結(jié)合于一身。非易失性是指存儲器在斷電情況下保持?jǐn)?shù)據(jù)的能力。M eRAM存儲器與硬盤驅(qū)動器和閃存記憶棒功能相似,但速度要快很多。
      目前,磁性存儲器基于一種名叫“自旋轉(zhuǎn)移矩”(STT)效應(yīng)的技術(shù),它除了利用電子的電荷之外,還利用它們所具有的磁性即自旋特性。STT技術(shù)利用電流移動電子把數(shù)據(jù)寫入存儲器。不過盡管STT技術(shù)在許多方面優(yōu)于其他存儲技術(shù),但它基于電流的寫入機制仍然需要一定電量,這意味著它在寫入數(shù)據(jù)時會產(chǎn)生熱量。此外,其存儲容量取決于每一位數(shù)據(jù)所占據(jù)的物理空間,而這一過程又受到信息寫入所需的電流強度的限制。于是,較低的數(shù)位容量會轉(zhuǎn)化成相對較高的單位數(shù)據(jù)存儲成本,從而限制了STT技術(shù)的應(yīng)用范圍。
      UCLA的研究小組利用M eRAM,以電壓取代STT技術(shù)中的電流,把數(shù)據(jù)寫入存儲器。這排除了通過導(dǎo)線移動大量電子的必要性,而是利用電壓即電勢差進(jìn)行磁性數(shù)位的轉(zhuǎn)換,從而把信息寫入存儲器。這使計算機存儲器產(chǎn)生的熱量大大減少,使能源效率提高了10到1000倍。此外存儲器的存儲密度也可以提高4倍,即在同樣的物理區(qū)域內(nèi)可以存儲更多數(shù)據(jù),從而也能降低單位數(shù)據(jù)的存儲成本。



    衡陽市金則利特種合金股份有限公司成立于1999年,公司主營耐蝕軟磁合金,為湖南省高新技術(shù)企業(yè)。公司自成立以來,即致力于耐蝕軟磁合金的研發(fā)。公司已具備年產(chǎn)耐蝕軟磁合金8000噸的生產(chǎn)能力。

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